Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
3 A
Maximum Drain Source Voltage
900 V
Serija
MDmesh, SuperMESH
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
4.8 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
90 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Plotis
6.2mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
6.6mm
Typical Gate Charge @ Vgs
22.7 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
2.4mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700V to 1200V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 1 697,50
€ 0,679 Each (On a Reel of 2500) (be PVM)
€ 2 053,98
€ 0,822 Each (On a Reel of 2500) (su PVM)
2500

€ 1 697,50
€ 0,679 Each (On a Reel of 2500) (be PVM)
€ 2 053,98
€ 0,822 Each (On a Reel of 2500) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
2500

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
3 A
Maximum Drain Source Voltage
900 V
Serija
MDmesh, SuperMESH
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
4.8 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
90 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Plotis
6.2mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
6.6mm
Typical Gate Charge @ Vgs
22.7 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
2.4mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas


