Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
35A
Maximum Drain Source Voltage Vds
60V
Pakuotės tipas
TO-252
Serija
STripFET
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
20mΩ
Channel Mode
Enhancement
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
44.5nC
Maximum Power Dissipation Pd
80W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Forward Voltage Vf
1.5V
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Ilgis
6.6mm
Aukštis
2.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 15,00
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 18,15
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
10

€ 15,00
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 18,15
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Gamybinė pakuotė (Ritė)
10

Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
35A
Maximum Drain Source Voltage Vds
60V
Pakuotės tipas
TO-252
Serija
STripFET
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
20mΩ
Channel Mode
Enhancement
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
44.5nC
Maximum Power Dissipation Pd
80W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Forward Voltage Vf
1.5V
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Ilgis
6.6mm
Aukštis
2.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas