Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type P
Maximum Continuous Drain Current Id
12A
Maximum Drain Source Voltage Vds
30V
Pakuotės tipas
TO-252
Serija
STripFET
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
45mΩ
Channel Mode
Enhancement
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
12nC
Maximum Power Dissipation Pd
40W
Forward Voltage Vf
1.1V
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Ilgis
6.6mm
Aukštis
2.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 48,40
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 58,56
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
50
€ 48,40
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 58,56
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Gamybinė pakuotė (Ritė)
50
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type P
Maximum Continuous Drain Current Id
12A
Maximum Drain Source Voltage Vds
30V
Pakuotės tipas
TO-252
Serija
STripFET
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
45mΩ
Channel Mode
Enhancement
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
12nC
Maximum Power Dissipation Pd
40W
Forward Voltage Vf
1.1V
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Ilgis
6.6mm
Aukštis
2.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
