Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type P
Maximum Continuous Drain Current Id
12A
Maximum Drain Source Voltage Vds
30V
Serija
STripFET
Pakuotės tipas
TO-252
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
45mΩ
Channel Mode
Enhancement
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
12nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
-20, +20V
Forward Voltage Vf
1.1V
Maximum Power Dissipation Pd
40W
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Ilgis
6.6mm
Standards/Approvals
No
Plotis
6.2mm
Aukštis
2.4mm
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 52,50
€ 0,695 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 63,52
€ 0,841 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
50

€ 52,50
€ 0,695 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 63,52
€ 0,841 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Gamybinė pakuotė (Ritė)
50

| kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
|---|---|---|
| 100 - 490 | € 0,695 | € 6,95 |
| 500 - 990 | € 0,549 | € 5,49 |
| 1000+ | € 0,526 | € 5,26 |
Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type P
Maximum Continuous Drain Current Id
12A
Maximum Drain Source Voltage Vds
30V
Serija
STripFET
Pakuotės tipas
TO-252
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
45mΩ
Channel Mode
Enhancement
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
12nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
-20, +20V
Forward Voltage Vf
1.1V
Maximum Power Dissipation Pd
40W
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Ilgis
6.6mm
Standards/Approvals
No
Plotis
6.2mm
Aukštis
2.4mm
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.