Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
N
Maximum Continuous Drain Current Id
25A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Serija
STripFET II
Pakuotės tipas
TO-252
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
35mΩ
Channel Mode
Enhancement
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
38nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
-16, +16V
Forward Voltage Vf
1.5V
Maximum Power Dissipation Pd
100W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Ilgis
6.6mm
Standards/Approvals
No
Plotis
6.2mm
Aukštis
2.4mm
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 29,50
€ 2,55 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 35,70
€ 3,086 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
10

€ 29,50
€ 2,55 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 35,70
€ 3,086 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Gamybinė pakuotė (Ritė)
10

| kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
|---|---|---|
| 50 - 120 | € 2,55 | € 12,75 |
| 125+ | € 2,00 | € 10,00 |
Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
N
Maximum Continuous Drain Current Id
25A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Serija
STripFET II
Pakuotės tipas
TO-252
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
35mΩ
Channel Mode
Enhancement
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
38nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
-16, +16V
Forward Voltage Vf
1.5V
Maximum Power Dissipation Pd
100W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Ilgis
6.6mm
Standards/Approvals
No
Plotis
6.2mm
Aukštis
2.4mm
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.