Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
1A
Maximum Drain Source Voltage Vds
600V
Pakuotės tipas
IPAK
Serija
MDmesh, SuperMESH
Mount Type
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
8.5Ω
Channel Mode
Enhancement
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
7nC
Maximum Power Dissipation Pd
30W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Forward Voltage Vf
1.6V
Maksimali darbinė temperatūra
150°C
Ilgis
6.6mm
Aukštis
2.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 17,22
Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (be PVM)
€ 20,84
Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Vamzdelis)
25
€ 17,22
Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (be PVM)
€ 20,84
Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Gamybinė pakuotė (Vamzdelis)
25
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
1A
Maximum Drain Source Voltage Vds
600V
Pakuotės tipas
IPAK
Serija
MDmesh, SuperMESH
Mount Type
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
8.5Ω
Channel Mode
Enhancement
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
7nC
Maximum Power Dissipation Pd
30W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Forward Voltage Vf
1.6V
Maksimali darbinė temperatūra
150°C
Ilgis
6.6mm
Aukštis
2.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
