Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
12A
Maximum Drain Source Voltage Vds
600V
Pakuotės tipas
TO-252
Serija
MDmesh M2
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
320mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
110W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
19nC
Forward Voltage Vf
1.6V
Maksimali darbinė temperatūra
150°C
Aukštis
2.4mm
Ilgis
6.6mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Kilmės šalis
China
Produkto Aprašymas
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 36,25
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 43,86
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
25

€ 36,25
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 43,86
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Gamybinė pakuotė (Ritė)
25

Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
12A
Maximum Drain Source Voltage Vds
600V
Pakuotės tipas
TO-252
Serija
MDmesh M2
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
320mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
110W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
19nC
Forward Voltage Vf
1.6V
Maksimali darbinė temperatūra
150°C
Aukštis
2.4mm
Ilgis
6.6mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Kilmės šalis
China
Produkto Aprašymas