Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
N
Maximum Continuous Drain Current Id
11A
Maximum Drain Source Voltage Vds
600V
Pakuotės tipas
TO-252
Serija
MDmesh II
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
0.36Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
27nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
25V
Forward Voltage Vf
1.5V
Maksimali darbinė temperatūra
150°C
Aukštis
2.4mm
Ilgis
10.1mm
Standards/Approvals
RoHS
Plotis
6.6mm
Automotive Standard
No
Kilmės šalis
China
Produkto Aprašymas
The STMicroelectronics Power MOSFET is developed using the second generation of MDmesh technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the companys strip layout to yield one of the worlds lowest on resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 18,50
€ 3,70 Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (be PVM)
€ 22,38
€ 4,477 Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (su PVM)
Standartas
5
€ 18,50
€ 3,70 Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (be PVM)
€ 22,38
€ 4,477 Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Standartas
5
| kiekis | Vieneto kaina | Per Juosta |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 3,70 | € 18,50 |
| 50 - 120 | € 3,20 | € 16,00 |
| 125+ | € 2,50 | € 12,50 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
N
Maximum Continuous Drain Current Id
11A
Maximum Drain Source Voltage Vds
600V
Pakuotės tipas
TO-252
Serija
MDmesh II
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
0.36Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
27nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
25V
Forward Voltage Vf
1.5V
Maksimali darbinė temperatūra
150°C
Aukštis
2.4mm
Ilgis
10.1mm
Standards/Approvals
RoHS
Plotis
6.6mm
Automotive Standard
No
Kilmės šalis
China
Produkto Aprašymas
The STMicroelectronics Power MOSFET is developed using the second generation of MDmesh technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the companys strip layout to yield one of the worlds lowest on resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
