Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type P
Maximum Continuous Drain Current Id
10A
Maximum Drain Source Voltage Vds
60V
Pakuotės tipas
TO-252
Serija
STripFET
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
160mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
30W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
6.4nC
Forward Voltage Vf
-1.1V
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Aukštis
2.38mm
Ilgis
6.6mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 77,50
€ 0,775 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 93,78
€ 0,938 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
100
€ 77,50
€ 0,775 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 93,78
€ 0,938 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Gamybinė pakuotė (Ritė)
100
| kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
|---|---|---|
| 100 - 180 | € 0,775 | € 15,50 |
| 200 - 480 | € 0,697 | € 13,94 |
| 500 - 980 | € 0,628 | € 12,56 |
| 1000+ | € 0,596 | € 11,92 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type P
Maximum Continuous Drain Current Id
10A
Maximum Drain Source Voltage Vds
60V
Pakuotės tipas
TO-252
Serija
STripFET
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
160mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
30W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
6.4nC
Forward Voltage Vf
-1.1V
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Aukštis
2.38mm
Ilgis
6.6mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
