Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
80A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Pakuotės tipas
TO-252
Serija
STripFET H7
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
8mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
120W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
61nC
Forward Voltage Vf
1.2V
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Aukštis
2.4mm
Ilgis
6.6mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 11,25
€ 2,25 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 13,61
€ 2,722 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
5

€ 11,25
€ 2,25 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 13,61
€ 2,722 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Gamybinė pakuotė (Ritė)
5

Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
80A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Pakuotės tipas
TO-252
Serija
STripFET H7
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
8mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
120W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
61nC
Forward Voltage Vf
1.2V
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Aukštis
2.4mm
Ilgis
6.6mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas