Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
80A
Maximum Drain Source Voltage Vds
55V
Pakuotės tipas
TO-263
Serija
STripFET II
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
7mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
300W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
100nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
16V
Forward Voltage Vf
1.3V
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Aukštis
4.6mm
Ilgis
10.4mm
Standards/Approvals
No
Plotis
9.35mm
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 28,00
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 33,88
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
20

€ 28,00
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 33,88
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Gamybinė pakuotė (Ritė)
20

Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
80A
Maximum Drain Source Voltage Vds
55V
Pakuotės tipas
TO-263
Serija
STripFET II
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
7mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
300W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
100nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
16V
Forward Voltage Vf
1.3V
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Aukštis
4.6mm
Ilgis
10.4mm
Standards/Approvals
No
Plotis
9.35mm
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.