Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
80A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Pakuotės tipas
TO-263
Serija
STripFET II
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
15mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
300W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
135nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20V
Forward Voltage Vf
1.3V
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Aukštis
4.6mm
Ilgis
10.4mm
Standards/Approvals
No
Plotis
9.35mm
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 6,90
€ 3,45 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 8,35
€ 4,174 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
2

€ 6,90
€ 3,45 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 8,35
€ 4,174 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Gamybinė pakuotė (Ritė)
2

| kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
|---|---|---|
| 2 - 18 | € 3,45 | € 6,90 |
| 20 - 98 | € 2,15 | € 4,30 |
| 100 - 198 | € 1,65 | € 3,30 |
| 200+ | € 1,45 | € 2,90 |
Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
80A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Pakuotės tipas
TO-263
Serija
STripFET II
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
15mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
300W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
135nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20V
Forward Voltage Vf
1.3V
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Aukštis
4.6mm
Ilgis
10.4mm
Standards/Approvals
No
Plotis
9.35mm
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.