Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
N
Maximum Continuous Drain Current Id
75A
Maximum Drain Source Voltage Vds
75V
Serija
STripFET II
Pakuotės tipas
TO-263
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
11mΩ
Channel Mode
Enhancement
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
75nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
-15, +15V
Forward Voltage Vf
1.2V
Maximum Power Dissipation Pd
300W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Ilgis
10.4mm
Standards/Approvals
No
Plotis
9.35mm
Aukštis
4.6mm
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 6,40
€ 3,20 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 7,74
€ 3,872 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
2

€ 6,40
€ 3,20 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 7,74
€ 3,872 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Gamybinė pakuotė (Ritė)
2

| kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
|---|---|---|
| 2 - 18 | € 3,20 | € 6,40 |
| 20 - 98 | € 3,05 | € 6,10 |
| 100 - 198 | € 2,95 | € 5,90 |
| 200+ | € 2,60 | € 5,20 |
Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
N
Maximum Continuous Drain Current Id
75A
Maximum Drain Source Voltage Vds
75V
Serija
STripFET II
Pakuotės tipas
TO-263
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
11mΩ
Channel Mode
Enhancement
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
75nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
-15, +15V
Forward Voltage Vf
1.2V
Maximum Power Dissipation Pd
300W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Ilgis
10.4mm
Standards/Approvals
No
Plotis
9.35mm
Aukštis
4.6mm
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.