Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
N
Maximum Continuous Drain Current Id
60A
Maximum Drain Source Voltage Vds
60V
Pakuotės tipas
TO-263
Serija
STripFET II
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
14mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
110W
Minimali darbinė temperatūra
-65°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
35nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
-15, +15V
Forward Voltage Vf
1.3V
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Aukštis
4.6mm
Ilgis
10.4mm
Standards/Approvals
No
Plotis
9.35mm
Automotive Standard
AEC-Q101
Produkto Aprašymas
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 62,50
€ 2,05 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 75,62
€ 2,48 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
25

€ 62,50
€ 2,05 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 75,62
€ 2,48 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Gamybinė pakuotė (Ritė)
25

| kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
|---|---|---|
| 50 - 245 | € 2,05 | € 10,25 |
| 250 - 495 | € 1,55 | € 7,75 |
| 500+ | € 1,40 | € 7,00 |
Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
N
Maximum Continuous Drain Current Id
60A
Maximum Drain Source Voltage Vds
60V
Pakuotės tipas
TO-263
Serija
STripFET II
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
14mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
110W
Minimali darbinė temperatūra
-65°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
35nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
-15, +15V
Forward Voltage Vf
1.3V
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Aukštis
4.6mm
Ilgis
10.4mm
Standards/Approvals
No
Plotis
9.35mm
Automotive Standard
AEC-Q101
Produkto Aprašymas
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.