Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
50A
Maximum Drain Source Voltage Vds
60V
Pakuotės tipas
TO-263
Serija
STripFET II
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
18mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
110W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
44.5nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20V
Forward Voltage Vf
1.5V
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Aukštis
4.6mm
Ilgis
10.4mm
Standards/Approvals
No
Plotis
9.35mm
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 22,00
€ 1,30 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 26,62
€ 1,573 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
10

€ 22,00
€ 1,30 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 26,62
€ 1,573 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Gamybinė pakuotė (Ritė)
10

| kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
|---|---|---|
| 50 - 245 | € 1,30 | € 6,50 |
| 250 - 495 | € 0,906 | € 4,53 |
| 500+ | € 0,707 | € 3,54 |
Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
50A
Maximum Drain Source Voltage Vds
60V
Pakuotės tipas
TO-263
Serija
STripFET II
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
18mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
110W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
44.5nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20V
Forward Voltage Vf
1.5V
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Aukštis
4.6mm
Ilgis
10.4mm
Standards/Approvals
No
Plotis
9.35mm
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.