Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Product Type
MOSFET
Maximum Continuous Drain Current Id
55A
Maximum Drain Source Voltage Vds
60V
Pakuotės tipas
TO-263
Serija
STripFET II
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
20mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
95W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
27nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
-16, +16V
Forward Voltage Vf
1.6V
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Aukštis
4.6mm
Ilgis
10.75mm
Standards/Approvals
No
Plotis
10.4mm
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 52,50
€ 1,70 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 63,52
€ 2,057 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
25

€ 52,50
€ 1,70 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 63,52
€ 2,057 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Gamybinė pakuotė (Ritė)
25

| kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
|---|---|---|
| 50 - 245 | € 1,70 | € 8,50 |
| 250 - 495 | € 1,30 | € 6,50 |
| 500+ | € 1,15 | € 5,75 |
Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Product Type
MOSFET
Maximum Continuous Drain Current Id
55A
Maximum Drain Source Voltage Vds
60V
Pakuotės tipas
TO-263
Serija
STripFET II
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
20mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
95W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
27nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
-16, +16V
Forward Voltage Vf
1.6V
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Aukštis
4.6mm
Ilgis
10.75mm
Standards/Approvals
No
Plotis
10.4mm
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.