Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
33A
Maximum Drain Source Voltage Vds
650V
Pakuotės tipas
TO-263
Serija
MDmesh M5
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
79mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
190W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
100nC
Forward Voltage Vf
1.2V
Maksimali darbinė temperatūra
150°C
Aukštis
4.6mm
Ilgis
10.75mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 45,50
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 55,06
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
5

€ 45,50
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 55,06
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Gamybinė pakuotė (Ritė)
5

Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
33A
Maximum Drain Source Voltage Vds
650V
Pakuotės tipas
TO-263
Serija
MDmesh M5
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
79mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
190W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
100nC
Forward Voltage Vf
1.2V
Maksimali darbinė temperatūra
150°C
Aukštis
4.6mm
Ilgis
10.75mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas