Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
40 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Serija
STripFET
Pakuotės tipas
D2PAK (TO-263)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
45 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
160 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
9.35mm
Ilgis
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
75 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
4.6mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
N-Channel STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 3 230,00
€ 3,23 Each (On a Reel of 1000) (be PVM)
€ 3 908,30
€ 3,908 Each (On a Reel of 1000) (su PVM)
1000

€ 3 230,00
€ 3,23 Each (On a Reel of 1000) (be PVM)
€ 3 908,30
€ 3,908 Each (On a Reel of 1000) (su PVM)
1000

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
40 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Serija
STripFET
Pakuotės tipas
D2PAK (TO-263)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
45 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
160 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
9.35mm
Ilgis
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
75 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
4.6mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas