Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
Type N
Product Type
MOSFET
Maximum Continuous Drain Current Id
35A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Serija
STripFET II
Pakuotės tipas
TO-263
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
45mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20V
Forward Voltage Vf
1.3V
Maximum Power Dissipation Pd
115W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
40nC
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Standards/Approvals
No
Plotis
9.35mm
Aukštis
4.6mm
Ilgis
10.4mm
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 19,50
€ 1,20 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 23,60
€ 1,452 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
10

€ 19,50
€ 1,20 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 23,60
€ 1,452 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Gamybinė pakuotė (Ritė)
10

| kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
|---|---|---|
| 50 - 245 | € 1,20 | € 6,00 |
| 250 - 495 | € 0,918 | € 4,59 |
| 500+ | € 0,822 | € 4,11 |
Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
Type N
Product Type
MOSFET
Maximum Continuous Drain Current Id
35A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Serija
STripFET II
Pakuotės tipas
TO-263
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
45mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20V
Forward Voltage Vf
1.3V
Maximum Power Dissipation Pd
115W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
40nC
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Standards/Approvals
No
Plotis
9.35mm
Aukštis
4.6mm
Ilgis
10.4mm
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.