Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
35A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Pakuotės tipas
TO-263
Serija
STripFET II
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
45mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
115W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
40nC
Forward Voltage Vf
1.3V
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Aukštis
4.6mm
Ilgis
10.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 9,50
€ 1,90 Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 11,50
€ 2,299 Each (In a Pack of 5) (su PVM)
Standartas
5
€ 9,50
€ 1,90 Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 11,50
€ 2,299 Each (In a Pack of 5) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Standartas
5
| kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 1,90 | € 9,50 |
| 50 - 245 | € 1,20 | € 6,00 |
| 250 - 495 | € 0,913 | € 4,56 |
| 500+ | € 0,817 | € 4,08 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
35A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Pakuotės tipas
TO-263
Serija
STripFET II
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
45mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
115W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
40nC
Forward Voltage Vf
1.3V
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Aukštis
4.6mm
Ilgis
10.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
