Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
17A
Maximum Drain Source Voltage Vds
650V
Pakuotės tipas
TO-263
Serija
MDmesh
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
190mΩ
Channel Mode
Enhancement
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
46nC
Maximum Power Dissipation Pd
125W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Forward Voltage Vf
1.6V
Maksimali darbinė temperatūra
150°C
Ilgis
10.75mm
Aukštis
4.6mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Produkto aprašymas
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 50,00
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 60,50
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
10

€ 50,00
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 60,50
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Gamybinė pakuotė (Ritė)
10

Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
17A
Maximum Drain Source Voltage Vds
650V
Pakuotės tipas
TO-263
Serija
MDmesh
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
190mΩ
Channel Mode
Enhancement
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
46nC
Maximum Power Dissipation Pd
125W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Forward Voltage Vf
1.6V
Maksimali darbinė temperatūra
150°C
Ilgis
10.75mm
Aukštis
4.6mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Produkto aprašymas