Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
12A
Maximum Drain Source Voltage Vds
600V
Pakuotės tipas
TO-263
Serija
MDmesh DM2
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
290mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
90W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
20nC
Forward Voltage Vf
1.3V
Maksimali darbinė temperatūra
150°C
Aukštis
4.6mm
Ilgis
9.35mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Kilmės šalis
China
Produkto Aprašymas
The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 1 600,00
€ 1,60 Each (On a Reel of 1000) (be PVM)
€ 1 936,00
€ 1,936 Each (On a Reel of 1000) (su PVM)
1000

€ 1 600,00
€ 1,60 Each (On a Reel of 1000) (be PVM)
€ 1 936,00
€ 1,936 Each (On a Reel of 1000) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
1000

Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
12A
Maximum Drain Source Voltage Vds
600V
Pakuotės tipas
TO-263
Serija
MDmesh DM2
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
290mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
90W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
20nC
Forward Voltage Vf
1.3V
Maksimali darbinė temperatūra
150°C
Aukštis
4.6mm
Ilgis
9.35mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Kilmės šalis
China
Produkto Aprašymas
The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.