Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
12A
Maximum Drain Source Voltage Vds
600V
Pakuotės tipas
TO-263
Serija
MDmesh DM2
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
290mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
90W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
20nC
Forward Voltage Vf
1.3V
Maksimali darbinė temperatūra
150°C
Aukštis
4.6mm
Ilgis
9.35mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Kilmės šalis
China
Produkto Aprašymas
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 1 600,00
€ 1,60 Each (On a Reel of 1000) (be PVM)
€ 1 936,00
€ 1,936 Each (On a Reel of 1000) (su PVM)
1000

€ 1 600,00
€ 1,60 Each (On a Reel of 1000) (be PVM)
€ 1 936,00
€ 1,936 Each (On a Reel of 1000) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
1000

Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
12A
Maximum Drain Source Voltage Vds
600V
Pakuotės tipas
TO-263
Serija
MDmesh DM2
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
290mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
90W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
20nC
Forward Voltage Vf
1.3V
Maksimali darbinė temperatūra
150°C
Aukštis
4.6mm
Ilgis
9.35mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Kilmės šalis
China
Produkto Aprašymas