Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
120A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Pakuotės tipas
TO-263
Serija
STripFET II
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
10.5mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20V
Maximum Power Dissipation Pd
312W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
172nC
Forward Voltage Vf
1.3V
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Ilgis
10.4mm
Standards/Approvals
No
Aukštis
4.6mm
Plotis
9.35mm
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 7,80
€ 3,90 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 9,44
€ 4,719 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
2
€ 7,80
€ 3,90 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 9,44
€ 4,719 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Gamybinė pakuotė (Ritė)
2
| kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
|---|---|---|
| 2 - 18 | € 3,90 | € 7,80 |
| 20 - 98 | € 2,45 | € 4,90 |
| 100 - 198 | € 1,85 | € 3,70 |
| 200+ | € 1,65 | € 3,30 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
120A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Pakuotės tipas
TO-263
Serija
STripFET II
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
10.5mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20V
Maximum Power Dissipation Pd
312W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
172nC
Forward Voltage Vf
1.3V
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Ilgis
10.4mm
Standards/Approvals
No
Aukštis
4.6mm
Plotis
9.35mm
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
