STMicroelectronics STripFET II N-Channel MOSFET, 120 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263

Markė

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

120A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Pakuotės tipas

TO-263

Serija

STripFET II

Mount Type

Surface

Kaiščių skaičius

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

10.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

312W

Minimali darbinė temperatūra

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

172nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-20, +20V

Forward Voltage Vf

1.3V

Maksimali darbinė temperatūra

175°C

Aukštis

4.6mm

Ilgis

10.4mm

Standards/Approvals

No

Plotis

9.35mm

Automotive Standard

No