Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MDmesh Power MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
11A
Maximum Drain Source Voltage Vds
800V
Pakuotės tipas
TO-263
Serija
STB11NM80
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
0.4Ω
Channel Mode
Enhancement
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
43.6nC
Maximum Power Dissipation Pd
150W
Minimali darbinė temperatūra
-65°C
Forward Voltage Vf
0.86V
Maksimali darbinė temperatūra
150°C
Ilgis
10.4mm
Aukštis
4.37mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 4 550,00
€ 4,55 Each (On a Reel of 1000) (be PVM)
€ 5 505,50
€ 5,506 Each (On a Reel of 1000) (su PVM)
1000
€ 4 550,00
€ 4,55 Each (On a Reel of 1000) (be PVM)
€ 5 505,50
€ 5,506 Each (On a Reel of 1000) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
1000
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MDmesh Power MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
11A
Maximum Drain Source Voltage Vds
800V
Pakuotės tipas
TO-263
Serija
STB11NM80
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
0.4Ω
Channel Mode
Enhancement
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
43.6nC
Maximum Power Dissipation Pd
150W
Minimali darbinė temperatūra
-65°C
Forward Voltage Vf
0.86V
Maksimali darbinė temperatūra
150°C
Ilgis
10.4mm
Aukštis
4.37mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
