Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
120A
Maximum Drain Source Voltage Vds
40V
Pakuotės tipas
TO-263
Serija
STripFET II
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
5mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
300W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20V
Forward Voltage Vf
1.3V
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
110nC
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Aukštis
4.6mm
Ilgis
10.4mm
Standards/Approvals
No
Plotis
9.35mm
Automotive Standard
AEC-Q101
Produkto Aprašymas
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 6,80
€ 3,40 Each (In a Pack of 2) (be PVM)
€ 8,23
€ 4,114 Each (In a Pack of 2) (su PVM)
Standartas
2

€ 6,80
€ 3,40 Each (In a Pack of 2) (be PVM)
€ 8,23
€ 4,114 Each (In a Pack of 2) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Standartas
2

Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
120A
Maximum Drain Source Voltage Vds
40V
Pakuotės tipas
TO-263
Serija
STripFET II
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
5mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
300W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20V
Forward Voltage Vf
1.3V
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
110nC
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Aukštis
4.6mm
Ilgis
10.4mm
Standards/Approvals
No
Plotis
9.35mm
Automotive Standard
AEC-Q101
Produkto Aprašymas
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.