Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
100A
Maximum Drain Source Voltage Vds
60V
Pakuotės tipas
TO-263
Serija
STripFET F7
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
5.6mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
125W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
12.6nC
Forward Voltage Vf
1.2V
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Aukštis
4.6mm
Ilgis
10.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for Faster and more efficient switching.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 19,00
€ 1,55 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 22,99
€ 1,876 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
10
€ 19,00
€ 1,55 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 22,99
€ 1,876 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Gamybinė pakuotė (Ritė)
10
| kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
|---|---|---|
| 50 - 245 | € 1,55 | € 7,75 |
| 250 - 495 | € 1,15 | € 5,75 |
| 500+ | € 1,05 | € 5,25 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
100A
Maximum Drain Source Voltage Vds
60V
Pakuotės tipas
TO-263
Serija
STripFET F7
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
5.6mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
125W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
12.6nC
Forward Voltage Vf
1.2V
Maksimali darbinė temperatūra
175°C
Aukštis
4.6mm
Ilgis
10.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for Faster and more efficient switching.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
