Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
Power MOSFET
Channel Type
N
Maximum Continuous Drain Current Id
6A
Maximum Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Serija
MDmesh K5
Pakuotės tipas
H2PAK-2
Mount Type
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
1.65Ω
Channel Mode
Enhancement Mode
Maximum Power Dissipation Pd
165W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Maximum Gate Source Voltage Vgs
30V
Maksimali darbinė temperatūra
150°C
Ilgis
10.98mm
Aukštis
15.55mm
Plotis
10.98mm
Standards/Approvals
RoHS
Automotive Standard
AEC-Q101
Kilmės šalis
China
Produkto Aprašymas
The STMicroelectronics N channel power MOSFET delivers reliable High voltage performance for demanding applications, ensuring optimal efficiency and power density in automotive environments.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 4 000,00
€ 4,00 Each (On a Reel of 1000) (be PVM)
€ 4 840,00
€ 4,84 Each (On a Reel of 1000) (su PVM)
1000
€ 4 000,00
€ 4,00 Each (On a Reel of 1000) (be PVM)
€ 4 840,00
€ 4,84 Each (On a Reel of 1000) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
1000
Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
Power MOSFET
Channel Type
N
Maximum Continuous Drain Current Id
6A
Maximum Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Serija
MDmesh K5
Pakuotės tipas
H2PAK-2
Mount Type
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
1.65Ω
Channel Mode
Enhancement Mode
Maximum Power Dissipation Pd
165W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Maximum Gate Source Voltage Vgs
30V
Maksimali darbinė temperatūra
150°C
Ilgis
10.98mm
Aukštis
15.55mm
Plotis
10.98mm
Standards/Approvals
RoHS
Automotive Standard
AEC-Q101
Kilmės šalis
China
Produkto Aprašymas
The STMicroelectronics N channel power MOSFET delivers reliable High voltage performance for demanding applications, ensuring optimal efficiency and power density in automotive environments.