STMicroelectronics MDmesh K5 N channel-Channel Power MOSFET, 6 A, 1200 V Enhancement Mode, 3-Pin H2PAK-2 ST2H8N120K5AG

Markė

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

N channel

Maximum Continuous Drain Current Id

6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Pakuotės tipas

H2PAK-2

Serija

MDmesh K5

Mount Type

Surface Mount

Kaiščių skaičius

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.65Ω

Channel Mode

Enhancement Mode

Maximum Power Dissipation Pd

165W

Minimali darbinė temperatūra

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30V

Maksimali darbinė temperatūra

150°C

Ilgis

10.98mm

Aukštis

15.55mm

Standards/Approvals

RoHS

Plotis

10.98mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Kilmės šalis

China