Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
45A
Maximum Drain Source Voltage Vds
1200V
Pakuotės tipas
Hip-247
Mount Type
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
100mΩ
Channel Mode
Enhancement
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
105nC
Maximum Power Dissipation Pd
270W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Forward Voltage Vf
3.5V
Maksimali darbinė temperatūra
200°C
Ilgis
15.75mm
Aukštis
20.15mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
Silicon carbide (SiC) MOSFETs feature very low static drain-source on-resistance for the 1200V rating combined with excellent switching performance, translating into more efficient and Compact systems.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 18,00
€ 18,00 už 1 vnt. (be PVM)
€ 21,78
€ 21,78 už 1 vnt. (su PVM)
Standartas
1
€ 18,00
€ 18,00 už 1 vnt. (be PVM)
€ 21,78
€ 21,78 už 1 vnt. (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Standartas
1
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
45A
Maximum Drain Source Voltage Vds
1200V
Pakuotės tipas
Hip-247
Mount Type
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
100mΩ
Channel Mode
Enhancement
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
105nC
Maximum Power Dissipation Pd
270W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Forward Voltage Vf
3.5V
Maksimali darbinė temperatūra
200°C
Ilgis
15.75mm
Aukštis
20.15mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
Silicon carbide (SiC) MOSFETs feature very low static drain-source on-resistance for the 1200V rating combined with excellent switching performance, translating into more efficient and Compact systems.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
