Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
45A
Maximum Drain Source Voltage Vds
1200V
Pakuotės tipas
Hip-247
Mount Type
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
100mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Source Voltage Vgs
25V
Forward Voltage Vf
3.5V
Maximum Power Dissipation Pd
270W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
105nC
Maksimali darbinė temperatūra
200°C
Ilgis
15.75mm
Standards/Approvals
No
Plotis
5.15mm
Aukštis
20.15mm
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
Silicon carbide (SiC) MOSFETs feature very low static drain-source on-resistance for the 1200V rating combined with excellent switching performance, translating into more efficient and Compact systems.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 18,10
€ 18,10 už 1 vnt. (be PVM)
€ 21,90
€ 21,90 už 1 vnt. (su PVM)
Standartas
1

€ 18,10
€ 18,10 už 1 vnt. (be PVM)
€ 21,90
€ 21,90 už 1 vnt. (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Standartas
1

Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
45A
Maximum Drain Source Voltage Vds
1200V
Pakuotės tipas
Hip-247
Mount Type
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
100mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Source Voltage Vgs
25V
Forward Voltage Vf
3.5V
Maximum Power Dissipation Pd
270W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
105nC
Maksimali darbinė temperatūra
200°C
Ilgis
15.75mm
Standards/Approvals
No
Plotis
5.15mm
Aukštis
20.15mm
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
Silicon carbide (SiC) MOSFETs feature very low static drain-source on-resistance for the 1200V rating combined with excellent switching performance, translating into more efficient and Compact systems.