Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
Type N
Product Type
SiC Power Module
Maximum Continuous Drain Current Id
16A
Maximum Drain Source Voltage Vds
1200V
Serija
SCT
Pakuotės tipas
Hip-247
Mount Type
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
0.52Ω
Channel Mode
Depletion
Forward Voltage Vf
3.6V
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
45nC
Maximum Power Dissipation Pd
153W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Maksimali darbinė temperatūra
200°C
Standards/Approvals
No
Ilgis
10.4mm
Aukštis
15.8mm
Automotive Standard
AEC-Q101
Produkto Aprašymas
The STMicroelectronics Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET has very tight variation of on-resistance vs. temperature. It has very high operating temperature capability.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 479,00
€ 479,00 1 Tube of 30 (be PVM)
€ 579,59
€ 579,59 1 Tube of 30 (su PVM)
1

€ 479,00
€ 479,00 1 Tube of 30 (be PVM)
€ 579,59
€ 579,59 1 Tube of 30 (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
1

Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
Type N
Product Type
SiC Power Module
Maximum Continuous Drain Current Id
16A
Maximum Drain Source Voltage Vds
1200V
Serija
SCT
Pakuotės tipas
Hip-247
Mount Type
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
0.52Ω
Channel Mode
Depletion
Forward Voltage Vf
3.6V
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
45nC
Maximum Power Dissipation Pd
153W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Maksimali darbinė temperatūra
200°C
Standards/Approvals
No
Ilgis
10.4mm
Aukštis
15.8mm
Automotive Standard
AEC-Q101
Produkto Aprašymas
The STMicroelectronics Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET has very tight variation of on-resistance vs. temperature. It has very high operating temperature capability.