Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
SiC Power Module
Channel Type
N
Maximum Continuous Drain Current Id
16A
Maximum Drain Source Voltage Vds
1200V
Pakuotės tipas
Hip-247
Serija
SCT
Mount Type
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
0.52Ω
Channel Mode
Depletion
Maximum Power Dissipation Pd
153W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
45nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
25V
Forward Voltage Vf
3.6V
Maksimali darbinė temperatūra
200°C
Aukštis
15.8mm
Ilgis
10.4mm
Standards/Approvals
No
Plotis
4.7mm
Automotive Standard
AEC-Q101
Produkto Aprašymas
The STMicroelectronics Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET has very tight variation of on-resistance vs. temperature. It has very high operating temperature capability.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 480,00
€ 480,00 1 Tube of 30 (be PVM)
€ 580,80
€ 580,80 1 Tube of 30 (su PVM)
1

€ 480,00
€ 480,00 1 Tube of 30 (be PVM)
€ 580,80
€ 580,80 1 Tube of 30 (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
1

Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
SiC Power Module
Channel Type
N
Maximum Continuous Drain Current Id
16A
Maximum Drain Source Voltage Vds
1200V
Pakuotės tipas
Hip-247
Serija
SCT
Mount Type
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
0.52Ω
Channel Mode
Depletion
Maximum Power Dissipation Pd
153W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
45nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
25V
Forward Voltage Vf
3.6V
Maksimali darbinė temperatūra
200°C
Aukštis
15.8mm
Ilgis
10.4mm
Standards/Approvals
No
Plotis
4.7mm
Automotive Standard
AEC-Q101
Produkto Aprašymas
The STMicroelectronics Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET has very tight variation of on-resistance vs. temperature. It has very high operating temperature capability.