STMicroelectronics STPOWER Gen3 SiC MOSFET Type N-Channel, 56 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin Hip-247-4 SCT025W120G3-4

Markė

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

56A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Pakuotės tipas

Hip-247-4

Serija

STPOWER Gen3 SiC MOSFET

Mount Type

Through Hole

Kaiščių skaičius

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

37mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

73nC

Maximum Power Dissipation Pd

389W

Minimali darbinė temperatūra

-55°C

Maksimali darbinė temperatūra

200°C

Ilgis

35.9mm

Aukštis

5.15mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

Kilmės šalis

China