Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Dual N
Maximum Drain Source Voltage Vds
95V
Pakuotės tipas
LBB
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
5
Maximum Drain Source Resistance Rds
1Ω
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Maximum Gate Source Voltage Vgs
10V
Maksimali darbinė temperatūra
150°C
Ilgis
28.95mm
Aukštis
2.1mm
Standards/Approvals
2002/95/EC
Plotis
5.85mm
Automotive Standard
No
Kilmės šalis
China
Produkto Aprašymas
The STMicroelectronics 120 W LDMOS FET, designed for broadband commercial communications, TV broadcast, avionics and industrial applications with frequencies from HF to 1.5 GHz. It can be used in class AB/B and class C for all typical modulation formats.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 22 500,00
€ 225,00 Each (On a Reel of 100) (be PVM)
€ 27 225,00
€ 272,25 Each (On a Reel of 100) (su PVM)
100
€ 22 500,00
€ 225,00 Each (On a Reel of 100) (be PVM)
€ 27 225,00
€ 272,25 Each (On a Reel of 100) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
100
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Dual N
Maximum Drain Source Voltage Vds
95V
Pakuotės tipas
LBB
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
5
Maximum Drain Source Resistance Rds
1Ω
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Maximum Gate Source Voltage Vgs
10V
Maksimali darbinė temperatūra
150°C
Ilgis
28.95mm
Aukštis
2.1mm
Standards/Approvals
2002/95/EC
Plotis
5.85mm
Automotive Standard
No
Kilmės šalis
China
Produkto Aprašymas
The STMicroelectronics 120 W LDMOS FET, designed for broadband commercial communications, TV broadcast, avionics and industrial applications with frequencies from HF to 1.5 GHz. It can be used in class AB/B and class C for all typical modulation formats.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
