Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
Motor Driver IC
Configuration
H Bridge
Mount Type
Surface
Pakuotės tipas
VFQFPN
Kaiščių skaičius
28
Minimali darbinė temperatūra
-40°C
Maksimali darbinė temperatūra
125°C
Ilgis
10.1mm
Aukštis
0.85mm
Plotis
13.1mm
Serija
PWD
Produkto Aprašymas
The PWD13F60 is a high-density power driver integrating gate drivers and four N-channel power MOSFETs in dual half bridge configuration. The integrated power MOSFETs have low RDS(on) of 320 mΩ and 600 V drain-source breakdown voltage, while the embedded gate drivers high side can be easily supplied by the integrated bootstrap diode. The high integration of the device allows to efficiently drive loads in a tiny space.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 7,20
€ 7,20 už 1 vnt. (be PVM)
€ 8,71
€ 8,71 už 1 vnt. (su PVM)
Standartas
1

€ 7,20
€ 7,20 už 1 vnt. (be PVM)
€ 8,71
€ 8,71 už 1 vnt. (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Standartas
1

| kiekis | Vieneto kaina |
|---|---|
| 1 - 4 | € 7,20 |
| 5 - 9 | € 6,70 |
| 10 - 24 | € 6,40 |
| 25 - 49 | € 6,00 |
| 50+ | € 5,70 |
Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
Motor Driver IC
Configuration
H Bridge
Mount Type
Surface
Pakuotės tipas
VFQFPN
Kaiščių skaičius
28
Minimali darbinė temperatūra
-40°C
Maksimali darbinė temperatūra
125°C
Ilgis
10.1mm
Aukštis
0.85mm
Plotis
13.1mm
Serija
PWD
Produkto Aprašymas
The PWD13F60 is a high-density power driver integrating gate drivers and four N-channel power MOSFETs in dual half bridge configuration. The integrated power MOSFETs have low RDS(on) of 320 mΩ and 600 V drain-source breakdown voltage, while the embedded gate drivers high side can be easily supplied by the integrated bootstrap diode. The high integration of the device allows to efficiently drive loads in a tiny space.