Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type P, Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
6.5A
Maximum Drain Source Voltage Vds
650V
Pakuotės tipas
QFN-9
Serija
MASTERG
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
31
Maximum Drain Source Resistance Rds
300mΩ
Channel Mode
Enhancement
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
1.5nC
Maximum Power Dissipation Pd
40mW
Minimali darbinė temperatūra
-40°C
Maksimali darbinė temperatūra
125°C
Ilgis
9mm
Aukštis
1mm
Standards/Approvals
RoHS, ECOPACK
Automotive Standard
No
Kilmės šalis
Thailand
Produkto Aprašymas
The STMicroelectronics Microcontroller is an advanced power system in package integrating a gate driver and two enhancement mode GaN transistors in half‑bridge configuration. The integrated power GaNs have RDS(ON) of 225 mΩ, 650 V drain‑source blocking voltage, while the high side of the embedded gate driver can be easily supplied by the integrated bootstrap diode.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 6,50
€ 6,50 už 1 vnt. (be PVM)
€ 7,86
€ 7,86 už 1 vnt. (su PVM)
1

€ 6,50
€ 6,50 už 1 vnt. (be PVM)
€ 7,86
€ 7,86 už 1 vnt. (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
1

Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type P, Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
6.5A
Maximum Drain Source Voltage Vds
650V
Pakuotės tipas
QFN-9
Serija
MASTERG
Mount Type
Surface
Kaiščių skaičius
31
Maximum Drain Source Resistance Rds
300mΩ
Channel Mode
Enhancement
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
1.5nC
Maximum Power Dissipation Pd
40mW
Minimali darbinė temperatūra
-40°C
Maksimali darbinė temperatūra
125°C
Ilgis
9mm
Aukštis
1mm
Standards/Approvals
RoHS, ECOPACK
Automotive Standard
No
Kilmės šalis
Thailand
Produkto Aprašymas
The STMicroelectronics Microcontroller is an advanced power system in package integrating a gate driver and two enhancement mode GaN transistors in half‑bridge configuration. The integrated power GaNs have RDS(ON) of 225 mΩ, 650 V drain‑source blocking voltage, while the high side of the embedded gate driver can be easily supplied by the integrated bootstrap diode.