Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ROHMChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
4 A
Maximum Drain Source Voltage
45 V
Pakuotės tipas
TSMT
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
6
Maximum Drain Source Resistance
100 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
1.25 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-21 V, +21 V
Typical Gate Charge @ Vgs
10 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Plotis
1.8mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
3mm
Aukštis
0.95mm
Kilmės šalis
Thailand
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET Transistors, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
€ 9,19
€ 0,613 Each (In a Pack of 15) (be PVM)
€ 11,12
€ 0,742 Each (In a Pack of 15) (su PVM)
15

€ 9,19
€ 0,613 Each (In a Pack of 15) (be PVM)
€ 11,12
€ 0,742 Each (In a Pack of 15) (su PVM)
15

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
15 - 360 | € 0,613 | € 9,19 |
375 - 735 | € 0,537 | € 8,05 |
750 - 1485 | € 0,523 | € 7,85 |
1500 - 2985 | € 0,508 | € 7,62 |
3000+ | € 0,499 | € 7,48 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ROHMChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
4 A
Maximum Drain Source Voltage
45 V
Pakuotės tipas
TSMT
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
6
Maximum Drain Source Resistance
100 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
1.25 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-21 V, +21 V
Typical Gate Charge @ Vgs
10 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Plotis
1.8mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
3mm
Aukštis
0.95mm
Kilmės šalis
Thailand
Produkto aprašymas