Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ROHMChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
SOT-323
Serija
RU1C001UN
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
18 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.3V
Maximum Power Dissipation
150 mW
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Plotis
1.35mm
Ilgis
2.1mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
1mm
Kilmės šalis
Thailand
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET Transistors, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
€ 10,05
€ 0,067 Each (In a Pack of 150) (be PVM)
€ 12,16
€ 0,081 Each (In a Pack of 150) (su PVM)
150

€ 10,05
€ 0,067 Each (In a Pack of 150) (be PVM)
€ 12,16
€ 0,081 Each (In a Pack of 150) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
150

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ROHMChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
SOT-323
Serija
RU1C001UN
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
18 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.3V
Maximum Power Dissipation
150 mW
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Plotis
1.35mm
Ilgis
2.1mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
1mm
Kilmės šalis
Thailand
Produkto aprašymas