Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ROHMChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
4 A
Maximum Drain Source Voltage
12 V
Serija
RAF040P01
Pakuotės tipas
SOT-323
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
68 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.3V
Maximum Power Dissipation
800 mW
Maximum Gate Source Voltage
-8 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
1.8mm
Ilgis
2.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
37 nC @ 4.5 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
0.82mm
Produkto aprašymas
P-Channel MOSFET Transistors, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
€ 27,55
€ 0,276 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 33,34
€ 0,334 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
100

€ 27,55
€ 0,276 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 33,34
€ 0,334 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
100

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
100 - 180 | € 0,276 | € 5,51 |
200 - 480 | € 0,237 | € 4,73 |
500 - 980 | € 0,22 | € 4,41 |
1000+ | € 0,217 | € 4,33 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ROHMChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
4 A
Maximum Drain Source Voltage
12 V
Serija
RAF040P01
Pakuotės tipas
SOT-323
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
68 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.3V
Maximum Power Dissipation
800 mW
Maximum Gate Source Voltage
-8 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
1.8mm
Ilgis
2.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
37 nC @ 4.5 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
0.82mm
Produkto aprašymas