Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ROHMChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
180 A
Maximum Drain Source Voltage
1200 V
Serija
BSM
Pakuotės tipas
c
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
4
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5.6V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.7V
Maximum Power Dissipation
880 W
Number of Elements per Chip
2
Plotis
45.6mm
Ilgis
122mm
Transistor Material
SiC
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Minimali darbinė temperatūra
-40 °C
Aukštis
17mm
Kilmės šalis
Japan
Produkto aprašymas
SiC Power Modules, ROHM
The Module consists of a Silicon-Carbide (SiC) DMOS Power FET Devices with a Schottky Barrier Diode (SBD) across the Drain and Source.
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
€ 731,50
€ 731,50 už 1 vnt. (be PVM)
€ 885,12
€ 885,12 už 1 vnt. (su PVM)
1

€ 731,50
€ 731,50 už 1 vnt. (be PVM)
€ 885,12
€ 885,12 už 1 vnt. (su PVM)
1

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ROHMChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
180 A
Maximum Drain Source Voltage
1200 V
Serija
BSM
Pakuotės tipas
c
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
4
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5.6V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.7V
Maximum Power Dissipation
880 W
Number of Elements per Chip
2
Plotis
45.6mm
Ilgis
122mm
Transistor Material
SiC
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Minimali darbinė temperatūra
-40 °C
Aukštis
17mm
Kilmės šalis
Japan
Produkto aprašymas
SiC Power Modules, ROHM
The Module consists of a Silicon-Carbide (SiC) DMOS Power FET Devices with a Schottky Barrier Diode (SBD) across the Drain and Source.