Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
Renesas ElectronicsProduct Type
Photocoupler
Mount Type
Surface
Maximum Forward Voltage
1.4V
Number of Channels
1
Number of Pins
4
Pakuotės tipas
Gull Wing
Input Current Type
DC
Maximum Input Current
80mA
Isolation Voltage
5000Vrms
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Maksimali darbinė temperatūra
100°C
Maximum Current Transfer Ratio
2000%
Minimum Current Transfer Ratio
200%
Typical Fall Time
100μs
Standards/Approvals
BS EN 62368-1, CAN/CSA-C22.2 No. 62368-1, DIN EN 60747-5-5, EN 62368-1, IEC 62368-1, UL1577
Serija
PS
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
The Renesas Electronics optically coupled isolators containing a GaAs light emitting diode and an NPN silicon darlington connected phototransistor. It has high isolation voltage.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 19,14
€ 0,957 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (be PVM)
€ 23,16
€ 1,158 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Vamzdelis)
20
€ 19,14
€ 0,957 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (be PVM)
€ 23,16
€ 1,158 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Gamybinė pakuotė (Vamzdelis)
20
| kiekis | Vieneto kaina | Per Vamzdelis |
|---|---|---|
| 20 - 40 | € 0,957 | € 9,57 |
| 50 - 70 | € 0,938 | € 9,38 |
| 80 - 90 | € 0,917 | € 9,17 |
| 100+ | € 0,725 | € 7,25 |
Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
Renesas ElectronicsProduct Type
Photocoupler
Mount Type
Surface
Maximum Forward Voltage
1.4V
Number of Channels
1
Number of Pins
4
Pakuotės tipas
Gull Wing
Input Current Type
DC
Maximum Input Current
80mA
Isolation Voltage
5000Vrms
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Maksimali darbinė temperatūra
100°C
Maximum Current Transfer Ratio
2000%
Minimum Current Transfer Ratio
200%
Typical Fall Time
100μs
Standards/Approvals
BS EN 62368-1, CAN/CSA-C22.2 No. 62368-1, DIN EN 60747-5-5, EN 62368-1, IEC 62368-1, UL1577
Serija
PS
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
The Renesas Electronics optically coupled isolators containing a GaAs light emitting diode and an NPN silicon darlington connected phototransistor. It has high isolation voltage.
