Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
252 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Pakuotės tipas
LFPAK, SOT-669
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
4
Maximum Drain Source Resistance
1.15 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
134 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
4.25mm
Ilgis
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
75 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
1.2mm
Automotive Standard
AEC-Q101
Kilmės šalis
Philippines
€ 3,52
€ 0,881 Each (In a Pack of 4) (be PVM)
€ 4,26
€ 1,066 Each (In a Pack of 4) (su PVM)
Standartas
4

€ 3,52
€ 0,881 Each (In a Pack of 4) (be PVM)
€ 4,26
€ 1,066 Each (In a Pack of 4) (su PVM)
Standartas
4

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
252 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Pakuotės tipas
LFPAK, SOT-669
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
4
Maximum Drain Source Resistance
1.15 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
134 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
4.25mm
Ilgis
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
75 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
1.2mm
Automotive Standard
AEC-Q101
Kilmės šalis
Philippines