Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiDiode Configuration
Complex Array
Product Type
TVS Diode Array
Direction Type
Uni-Directional
Minimum Breakdown Voltage Vbr
6V
Mount Type
Surface
Pakuotės tipas
SOIC
Kaiščių skaičius
8
Peak Pulse Power Dissipation Pppm
500W
Clamping Voltage VC
25V
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Test Current It
1mA
ESD Protection
Yes
Number of Elements per Chip
4
Maksimali darbinė temperatūra
150°C
Aukštis
1.5mm
Ilgis
5mm
Standards/Approvals
No
Plotis
4mm
Maximum Reverse Leakage Current
10μA
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 82,40
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 99,70
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
100
€ 82,40
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 99,70
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Gamybinė pakuotė (Ritė)
100
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiDiode Configuration
Complex Array
Product Type
TVS Diode Array
Direction Type
Uni-Directional
Minimum Breakdown Voltage Vbr
6V
Mount Type
Surface
Pakuotės tipas
SOIC
Kaiščių skaičius
8
Peak Pulse Power Dissipation Pppm
500W
Clamping Voltage VC
25V
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Test Current It
1mA
ESD Protection
Yes
Number of Elements per Chip
4
Maksimali darbinė temperatūra
150°C
Aukštis
1.5mm
Ilgis
5mm
Standards/Approvals
No
Plotis
4mm
Maximum Reverse Leakage Current
10μA
Automotive Standard
No
Produkto Aprašymas
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
