Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
430 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
SOT-563
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
6
Maximum Drain Source Resistance
2 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
280 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-6 V, +6 V
Number of Elements per Chip
2
Plotis
1.3mm
Ilgis
1.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.7 nC @ 4.5 V
Transistor Material
Si
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
0.6mm
Kilmės šalis
Malaysia
Produkto aprašymas
Dual P-Channel MOSFET, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
€ 414,20
€ 0,104 Each (On a Reel of 4000) (be PVM)
€ 501,18
€ 0,126 Each (On a Reel of 4000) (su PVM)
4000

€ 414,20
€ 0,104 Each (On a Reel of 4000) (be PVM)
€ 501,18
€ 0,126 Each (On a Reel of 4000) (su PVM)
4000

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
430 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
SOT-563
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
6
Maximum Drain Source Resistance
2 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
280 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-6 V, +6 V
Number of Elements per Chip
2
Plotis
1.3mm
Ilgis
1.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.7 nC @ 4.5 V
Transistor Material
Si
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
0.6mm
Kilmės šalis
Malaysia
Produkto aprašymas