Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
40 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
82 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
48 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
4.9mm
Ilgis
10.63mm
Typical Gate Charge @ Vgs
70 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Aukštis
16.12mm
Kilmės šalis
China
€ 266,00
€ 5,32 Each (In a Tube of 50) (be PVM)
€ 321,86
€ 6,437 Each (In a Tube of 50) (su PVM)
50

€ 266,00
€ 5,32 Each (In a Tube of 50) (be PVM)
€ 321,86
€ 6,437 Each (In a Tube of 50) (su PVM)
50

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
kiekis | Vieneto kaina | Per Vamzdelis |
---|---|---|
50 - 50 | € 5,32 | € 266,00 |
100+ | € 5,13 | € 256,50 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
40 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
82 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
48 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
4.9mm
Ilgis
10.63mm
Typical Gate Charge @ Vgs
70 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Aukštis
16.12mm
Kilmės šalis
China