Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
50 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
36 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
15 nC @ 10 V
Plotis
6.22mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
6.73mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
2.38mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
€ 4,27
€ 0,854 Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 5,17
€ 1,033 Each (In a Pack of 5) (su PVM)
Standartas
5

€ 4,27
€ 0,854 Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 5,17
€ 1,033 Each (In a Pack of 5) (su PVM)
Standartas
5

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
5 - 45 | € 0,854 | € 4,27 |
50 - 95 | € 0,736 | € 3,68 |
100 - 495 | € 0,638 | € 3,19 |
500 - 995 | € 0,56 | € 2,80 |
1000+ | € 0,51 | € 2,55 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
50 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
36 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
15 nC @ 10 V
Plotis
6.22mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
6.73mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
2.38mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas