Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
min. 5mA
Maximum Gate Source Voltage
-35 V
Maximum Drain Gate Voltage
35V
Configuration
Single
Transistor Configuration
Single
Maximum Drain Source Resistance
50 Ω
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
SOT-23
Kaiščių skaičius
3
Drain Gate On-Capacitance
28pF
Source Gate On-Capacitance
28pF
Matmenys
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Plotis
1.3mm
Aukštis
0.93mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Ilgis
2.92mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Produkto aprašymas
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
€ 4,98
€ 0,199 Each (In a Pack of 25) (be PVM)
€ 6,02
€ 0,241 Each (In a Pack of 25) (su PVM)
Standartas
25

€ 4,98
€ 0,199 Each (In a Pack of 25) (be PVM)
€ 6,02
€ 0,241 Each (In a Pack of 25) (su PVM)
Standartas
25

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
25 - 75 | € 0,199 | € 4,98 |
100 - 225 | € 0,172 | € 4,30 |
250 - 475 | € 0,148 | € 3,70 |
500 - 975 | € 0,131 | € 3,28 |
1000+ | € 0,12 | € 3,00 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
min. 5mA
Maximum Gate Source Voltage
-35 V
Maximum Drain Gate Voltage
35V
Configuration
Single
Transistor Configuration
Single
Maximum Drain Source Resistance
50 Ω
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
SOT-23
Kaiščių skaičius
3
Drain Gate On-Capacitance
28pF
Source Gate On-Capacitance
28pF
Matmenys
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Plotis
1.3mm
Aukštis
0.93mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Ilgis
2.92mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Produkto aprašymas
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.