Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
100 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
30 V
Pakuotės tipas
TO-92
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Maximum Power Dissipation
625 mW
Maximum Collector Base Voltage
30 V
Maximum Emitter Base Voltage
6 V
Maximum Operating Frequency
300 MHz
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Matmenys
5.33 x 5.2 x 4.19mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
0.6 V
P.O.A.
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (be PVM)
Gamybinė pakuotė (Juosta)
5

P.O.A.
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (be PVM)
Gamybinė pakuotė (Juosta)
5

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
100 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
30 V
Pakuotės tipas
TO-92
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Maximum Power Dissipation
625 mW
Maximum Collector Base Voltage
30 V
Maximum Emitter Base Voltage
6 V
Maximum Operating Frequency
300 MHz
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Matmenys
5.33 x 5.2 x 4.19mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
0.6 V