Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
600 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
140 V
Pakuotės tipas
TO-92
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Maximum Power Dissipation
625 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
160 V
Maximum Emitter Base Voltage
6 V
Maximum Operating Frequency
300 MHz
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Matmenys
5.33 x 5.2 x 4.19mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
P.O.A.
1

P.O.A.
1

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
600 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
140 V
Pakuotės tipas
TO-92
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Maximum Power Dissipation
625 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
160 V
Maximum Emitter Base Voltage
6 V
Maximum Operating Frequency
300 MHz
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Matmenys
5.33 x 5.2 x 4.19mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C