Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.05 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
200 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.85V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
417 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Plotis
1.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
3.9 nC @ 4.5 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
1mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, up to 30V
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
€ 313,50
€ 0,104 Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 379,34
€ 0,126 Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000

€ 313,50
€ 0,104 Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 379,34
€ 0,126 Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.05 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
200 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.85V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
417 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Plotis
1.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
3.9 nC @ 4.5 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
1mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas