Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
310 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
SOT-323
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
1.6 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.4V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.1V
Maximum Power Dissipation
260 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
1.35mm
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.6 nC @ 2.5 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Aukštis
1mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
Malaysia
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, 60V to 80V, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
€ 12,35
€ 0,062 Each (In a Pack of 200) (be PVM)
€ 14,94
€ 0,075 Each (In a Pack of 200) (su PVM)
Standartas
200

€ 12,35
€ 0,062 Each (In a Pack of 200) (be PVM)
€ 14,94
€ 0,075 Each (In a Pack of 200) (su PVM)
Standartas
200

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
200 - 1400 | € 0,062 | € 12,35 |
1600+ | € 0,042 | € 8,36 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
310 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
SOT-323
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
1.6 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.4V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.1V
Maximum Power Dissipation
260 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
1.35mm
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.6 nC @ 2.5 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Aukštis
1mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
Malaysia
Produkto aprašymas